RF4E080BNTR
Rohm Semiconductor
Deutsch
Artikelnummer: | RF4E080BNTR |
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Hersteller / Marke: | LAPIS Technology |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 30V 8A HUML2020L8 |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $0.74 |
10+ | $0.651 |
100+ | $0.4994 |
500+ | $0.3948 |
1000+ | $0.3158 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | HUML2020L8 |
Serie | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17.6mOhm @ 8A, 10V |
Verlustleistung (max) | 2W (Ta) |
Verpackung / Gehäuse | 8-PowerUDFN |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 660 pF @ 15 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14.5 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 8A (Ta) |
Grundproduktnummer | RF4E080 |
RF4E080BNTR Einzelheiten PDF [English] | RF4E080BNTR PDF - EN.pdf |
MOSFET N-CH 30V 10A HUML2020L8
MOSFET N-CH 30V 7A HUML2020L8
ROHM QFN
ROHM DFN2*2
MOSFET N-CH 30V 7A HUML2020L8
MOSFET N-CH 30V 11A HUML2020L8
MOSFET N-CH 30V 11A HUML2020L8
MOSFET N-CH 30V 8A HUML2020L8
MOSFET P-CH 30V 7.5A HUML2020L8
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() RF4E080BNTRRohm Semiconductor |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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