RF4E080BNTR

Name: Rohm Semiconductor RF4E080BNTR
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RF4E080BNTR
Price: 0.25 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (227 reviews)

Hersteller-Teilenummer:	RF4E080BNTR
Hersteller / Marke:	LAPIS Semiconductor
Teil der Beschreibung:	MOSFET N-CH 30V 8A 8-HUML
Datenblätte:	RF4E080BNTR.pdf
RoHs Status:	Lead free / RoHS Compliant
Zustand des Lagers:	12470 pcs Stock
ECAD -Modell:
Liefern von:	Hong Kong
Versandweg:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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ArtikelnummerRF4E080BNTR
HerstellerLAPIS Semiconductor
BeschreibungMOSFET N-CH 30V 8A 8-HUML
KategorieDiskrete Halbleiterprodukte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel
Teilstatus12470 pcs Stock
VGS (th) (Max) @ Id2V @ 250µA
Vgs (Max)±20V
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse6-HUML2020L8 (2x2)
Serie-
Rds On (Max) @ Id, Vgs17.6 mOhm @ 8A, 10V
Verlustleistung (max)2W (Ta)
VerpackungTape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse8-PowerUDFN
Betriebstemperatur150°C (TJ)
BefestigungsartSurface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds660pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs14.5nC @ 10V
Typ FETN-Channel
FET-Merkmal-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)30V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C8A (Ta)
RF4E080BNTR Einzelheiten PDF [English]RF4E080BNTR PDF - EN.pdf

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